碳化硅第三代半导体
官网正版 宽禁带半导体器件耐高温连接材料 芯片连接银烧结技术 碳化硅SiC氮化镓GaN第三代半导体功率器件电子工程师

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宽禁带半导体器件耐高温连接材料、工艺及可靠性 芯片连接银烧结技术 碳化硅SiC氮化镓GaN第三代半导体功率器件电子工程师 机工社

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2024年第三代半导体行业市场研究分析报告碳化硅氮化镓IGBT产业链

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第三代半导体产业人才发展指南 半导体工业  人才培养  GaN SiC 氮化镓 碳化硅  贯通人才 岗位需求

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官网正版 垂直型GaN和SiC功率器件 氮化镓碳化硅第三代宽禁带半导体 功率器件半导体物理材料结构设计工艺可靠性 微电子电力电子

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正版包邮 第三代半导体产业人才发展指南 半导体工业 人才培养 GaN SiC 氮化镓 碳化硅 贯通人才 岗位需求 机械工业出版社

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碳化硅和氮化镓 第三代宽禁带半导体 功率器件半导体物理材料结构设计工艺可靠性 微电子电力电子  垂直型GaN和SiC功率器件

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电脑版 | 更新时间:2025-02-03 22:56:02